快速恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同。它屬于PIN結(jié)二極管，即在P型硅材料和N型硅材料之間加入I基，形成PIN硅片。由于PD的主要有源區(qū)是勢壘區(qū)，所以可以通過加寬勢壘區(qū)來提高靈敏度。事實(shí)上，PIN快速恢復(fù)二極管人為地?cái)U(kuò)大了PN結(jié)勢壘區(qū)的寬度。PIN快速恢復(fù)二極管的有效作用面積主要是具有電場的I型層(勢壘面積)，因此產(chǎn)生光生載流子的有效面積增加，擴(kuò)散的影響減弱，結(jié)電容大大減小。因此，其光學(xué)檢測的靈敏度和響應(yīng)速度大大提高。

　　快速恢復(fù)二極管的性能特性

　　1、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　快速恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同。在P型和N型硅材料之間添加堿I以形成P-I-N硅芯片。由于基極區(qū)域非常薄，反向恢復(fù)電荷非常小，不僅trr值大大降低，而且瞬態(tài)正向壓降也降低，因此管可以承受高反向操作電壓。快速恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間通常為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流為幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百至幾千伏特。超快恢復(fù)二極管。

　　2、反向恢復(fù)時(shí)間

　　反向恢復(fù)時(shí)間(tr)的定義：電流通過零點(diǎn)和正向轉(zhuǎn)換到指定低值之間的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流整流裝置性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流波形如圖1所示。IF是正向電流，IRM是最大反向恢復(fù)電流。Irr是反向恢復(fù)電流，通常指定Irr=0.1 IRM。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí)，整流器上的正向電壓突然變?yōu)榉聪螂妷海虼苏螂娏餮杆贉p小。當(dāng)t=t1時(shí)，I=0。然后反向電流IR流過整流器，并且IR逐漸增加;在t=t2時(shí)達(dá)到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后，在正向電壓的作用下，反向電流逐漸減小，并在t=t3處達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程類似于電容器放電過程。

　　江蘇新邦微半導(dǎo)體有限公司，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，致力于功率半導(dǎo)體封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的廠家。公司創(chuàng)始人在二三極管行業(yè)深耕18年，服務(wù)客戶1300余家，公司主營產(chǎn)品為各類功率二極管、三極管、MOS場效應(yīng)管等半導(dǎo)體電子元器件，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源、汽車電子、安防、工控、新能源等諸多領(lǐng)域。